Description
Ny orinasanay dia manomeSiC coatingserivisy fanodinana amin'ny fomba CVD amin'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa, ka ny entona manokana misy karbônina sy silisiôma dia mihetsika amin'ny hafanana avo mba hahazoana molekiola SiC madio, molekiola napetraka eo ambonin'ny akora mifono, mamoronasosona fiarovana SiC.
Endri-javatra lehibe
1. Avo fanoherana oxidation hafanana:
ny fanoherana ny oksidia dia mbola tena tsara raha toa ka mahatratra 1600 C ny mari-pana.
2. Avo fahadiovana: vita amin'ny etona simika deposition ambanin'ny mari-pana ambony chlorination fepetra.
3. Erosion fanoherana: avo hamafin'ny, compact surface, poti tsara.
4. Ny fanoherana ny harafesina: asidra, alkali, sira ary reagents organika.
Famaritana lehibe momba ny Coating CVD-SIC
| SiC-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| hakitroky | g/cm³ | 3.21 |
| hamafin'ny | Vickers hamafin'ny | 2500 |
| Haben'ny voamaina | μm | 2~10 |
| Fahadiovana simika | % | 99.99995 |
| Hafanana fahaiza-manao | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation Temperature | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Ny Modulus Young | Gpa (fiondrika 4pt, 1300 ℃) | 430 |
| Fanitarana Thermal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivity mafana | (W/mK) | 300 |
FITAOVANA
-
Graphite Susceptctor miaraka amin'ny Silicon Carbide Coatin ...
-
Thermal saha fitaovana ho an'ny silisiôma carbide crys ...
-
EPI 3 1/4″ Barrel Reactor
-
SiC pin trays ho an'ny fizotry ny etching ICP ao amin'ny ...
-
SiC Coated Susceptor ho an'ny Deep UV-LED
-
SiC-coated Semiconductor Epitaxial Reactor ho an'ny ...