4 mirefy fahadiovana avo Semi-insulating HPSI SiC lafiny roa sosona voaporitra wafer substrate

Famaritana fohy:

Ny Semicera's 4 Inch High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC Double-side Polished Wafer Substrates dia namboarina tsara ho an'ny fampisehoana elektronika ambony. Ireo wafers ireo dia manome conductivity mafana tsara sy insulation elektrika, mety amin'ny fampiharana semiconductor mandroso. Matokia an'i Semicera amin'ny kalitao sy ny fanavaozana tsy manam-paharoa amin'ny teknolojia wafer.


Product Detail

Tags vokatra

Ny Semicera's 4 Inch High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC Double-side Polished Wafer Substrates dia noforonina mba hamenoana ny fitakian'ny indostrian'ny semiconductor. Ireo substrate ireo dia natao amin'ny fisaka sy fahadiovana miavaka, manolotra sehatra tsara indrindra ho an'ny fitaovana elektronika manara-penitra.

Ireo wafer HPSI SiC ireo dia miavaka amin'ny conductivity mafana sy ny fananan'ny insulation elektrika ambony, ka mahatonga azy ireo ho safidy tsara ho an'ny fampiharana avo lenta sy mahery vaika. Ny fizotry ny famolahana amin'ny lafiny roa dia miantoka ny hamafin'ny tany kely indrindra, izay tena ilaina amin'ny fanatsarana ny fahombiazan'ny fitaovana sy ny faharetana.

Ny fahadiovana ambony amin'ny wafers SiC an'ny Semicera dia manamaivana ny lesoka sy ny loto, izay mitarika ho amin'ny taham-pamokarana avo kokoa sy ny fahamendrehan'ny fitaovana. Ireo substrate ireo dia mety amin'ny fampiharana isan-karazany, ao anatin'izany ny fitaovana mikraoba, ny elektrônika herinaratra, ary ny teknolojia LED, izay tena ilaina ny fahitsiana sy ny faharetana.

Miaraka amin'ny fifantohana amin'ny fanavaozana sy ny kalitao, Semicera dia mampiasa teknika famokarana avo lenta mba hamokarana wafer izay mahafeno ny fepetra henjana amin'ny elektronika maoderina. Ny famolahana misy sisiny roa dia tsy manatsara ny tanjaky ny mekanika fotsiny fa manamora ny fampidirana tsara kokoa amin'ny fitaovana semiconductor hafa.

Amin'ny alàlan'ny fisafidianana ny Semicera's 4 Inch High Purity Semi-Insulating HPSI SiC Double-side Polished Wafer Substrates, ny mpanamboatra dia afaka manararaotra ny tombotsoan'ny fitantanana ny hafanana sy ny insulation elektrika, izay manome lalana ho an'ny fampandrosoana fitaovana elektronika mahomby kokoa sy matanjaka. Semicera dia manohy mitarika ny indostria miaraka amin'ny fanoloran-tenany amin'ny fandrosoan'ny kalitao sy ny teknolojia.

IREO SINGA NASIANA

Famokarana

Research

Dummy

Parametera kristaly

Polytype

4H

Fahadisoan'ny orientation surface

<11-20 >4±0.15°

Parametera elektrika

Dopant

n-karazana azota

Resistivity

0.015-0.025ohm·cm

Paramètre mekanika

savaivony

150.0±0.2mm

hateviny

350±25 μm

Primary flat orientation

[1-100]±5°

Lava fisaka voalohany

47.5±1.5mm

fisaka faharoa

tsy misy

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

LOHAN-TSAMBO

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

aretina

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Eo anoloana (Si-face) henjana (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

FIRAFITRA

hakitroky micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Fahalotoana metaly

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Quality Front

anoloana

Si

Famaranana ambonin'ny tany

Si-face CMP

poti

≤60ea/wafer (habe≥0.3μm)

NA

scratches

≤5ea/mm. Mitambatra halavany ≤Diameter

Cumulative length≤2 * Diameter

NA

Hodi-boasary / lavaka / tasy / striations / triatra / loto

tsy misy

NA

Sisiny chips/indents/fracture/hex takelaka

tsy misy

faritra polytype

tsy misy

Faritra mitambatra≤20%

Faritra mitambatra≤30%

Famaritana tamin'ny laser anoloana

tsy misy

Quality Back

Famaranana miverina

C-face CMP

scratches

≤5ea/mm, Mitambatra halavany≤2 * Savaivony

NA

Kilema lamosina (tsisin'ny sisiny)

tsy misy

Ny henjana lamosina

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Back laser marking

1 mm (avy amin'ny sisiny ambony)

sisin'ny

sisin'ny

Chamfer

Fonosana

Fonosana

Epi-vonona miaraka amin'ny fonosana banga

Famonosana kasety multi-wafer

* Fanamarihana: "NA" dia midika hoe tsy misy fangatahana Ny singa tsy voalaza dia mety manondro SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • teo aloha:
  • Manaraka: