Fanafanana singa ho an'ny MOCVD substrate

Singa fanafanana ho an'ny substrate MOCVD nasongadina sary

Famaritana fohy:

Ny singa fanafanana Semicera ho an'ny substrate MOCVD dia novolavolaina mba hanomezana fifehezana mari-pana marina sy maharitra amin'ny fizotran'ny Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). Vita avy amin'ny graphite avo lenta, ireo singa fanafanana ireo dia manome conductivity mafana miavaka, fanafanana fanamiana ary azo itokisana maharitra. Tsara ho an'ny famokarana semiconductor, famokarana LED, ary fampiharana ara-pitaovana mandroso, ny singa fanafanana Semicera dia miantoka ny fampandehanana tsy tapaka, manatsara ny fizotran'ny substrate MOCVD ho an'ny fahombiazana sy ny kalitao ambony indrindra.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Ny endri-javatra lehibe amin'ny heater graphite:

1. fitovian'ny rafitra fanafanana.

2. conductivity herinaratra tsara sy ny enta-mavesatra elektrika avo.

3. fanoherana ny harafesina.

4. inoxidizability.

5. fahadiovana simika avo.

6. hery mekanika avo lenta.

Ny tombony dia mitsitsy angovo, lafo ary ambany fikojakojana. Afaka mamokatra anti-oxidation sy ny androm-piainany maharitra graphite crucible, graphite bobongolo sy ny faritra rehetra amin'ny graphite heater.

MOCVD-Fanafana-fanafana-fanafanana-Ho-MOCVD3-300x300

Main masontsivana ny graphite heater

Famaritana ara-teknika	Semicera-M3
Haavo betsaka (g/cm3)	≥1.85
Votoaty lavenona (PPM)	≤500
Shore Hardness	≥45
Fanoherana manokana (μ.Ω.m)	≤12
Herin'ny Flexural (Mpa)	≥40
Hery fanerena (Mpa)	≥70
Max. Haben'ny voa (μm)	≤43
Coefficient ny fanitarana mafana Mm/°C	≤4.4*10-6