Silicon carbide (SiC)dia lasa safidy tiana kokoa noho ny silisiôma ho an'ny singa elektronika, indrindra amin'ny fampiharana bandgap midadasika. Ny SiC dia manolotra fahombiazana amin'ny herin'aratra, habe kely, lanja mihena ary ambany kokoa ny vidin'ny rafitra.
Ny fangatahana vovoka SiC madio indrindra amin'ny indostrian'ny elektronika sy semiconductor dia nanosika an'i Semicera hamolavola fahadiovana avo lenta.vovoka SiC. Ny fomba vaovaon'i Semicera amin'ny famokarana SiC madio indrindra dia miteraka vovoka izay mampiseho ny fiovan'ny morphologie malefaka, ny fanjifana fitaovana miadana kokoa, ary ny fifandraisan'ny fitomboana maharitra kokoa amin'ny fananganana kristaly.
Ny vovony SiC madio indrindra dia misy amin'ny habe samihafa ary azo amboarina mifanaraka amin'ny fepetra takian'ny mpanjifa manokana. Raha mila fanazavana fanampiny sy hiresaka momba ny tetikasanao dia mifandraisa amin'ny Semicera.
1. Ny haben'ny ampahany:
Manarona submicron amin'ny millimeter mizana.
2. vovoka Purity
Tatitra fitiliana 4N
3. Vovoka kristaly
Manarona submicron amin'ny millimeter mizana.
4. Morphologie mikroskopika
5. Morphologie macroscopique
