Semicera dia manome coating tantalum carbide (TaC) manokana ho an'ny singa sy mpitatitra isan-karazany.Semicera mitarika coating dingana mamela tantalum carbide (TaC) coatings mba hahazoana ny fahadiovana avo, ny mari-pana ambony fahamarinan-toerana sy ny simika fandeferana avo, fanatsarana ny vokatra SIC / GAN kristaly sy EPI sosona (TaC susceptor vita amin'ny graphite), ary ny fanitarana ny androm-piainan'ny singa reactor fototra. Ny fampiasana ny tantalum carbide TaC coating dia ny famahana ny olan'ny sisiny sy ny fanatsarana ny kalitaon'ny fitomboan'ny kristaly, ary ny Semicera dia namaha ny tantalum carbide coating teknolojia (CVD), tonga amin'ny sehatra iraisam-pirenena mandroso.
Taorian'ny taona maro ny fampandrosoana, Semicera dia nandresy ny teknolojia nyCVD TaCmiaraka amin'ny ezaka iarahan'ny sampana R&D. Ny lesoka dia mora mitranga amin'ny dingan'ny fitomboan'ny wafers SiC, fa aorian'ny fampiasanaTaC, lehibe ny fahasamihafana. Ity ambany ity ny fampitahana ny wafers misy sy tsy misy TaC, ary koa ny ampahany Semicera ho an'ny fitomboan'ny kristaly tokana
miaraka sy tsy misy TaC
Rehefa avy nampiasa TaC (ankavanana)
Ho fanampin'izany, ny fiainan'ny vokatra vita amin'ny TaC coating Semicera dia lava kokoa ary mahatohitra ny hafanana ambony noho ny an'ny coating SiC. Taorian'ny angon-drakitra fandrefesana laboratoara ela, ny TaC dia afaka miasa mandritra ny fotoana maharitra amin'ny 2300 degre Celsius ambony indrindra. Ireto manaraka ireto ny santionany sasany:
(a) Diagrama skematika amin'ny fitaovana fambolena ingot kristaly tokana SiC amin'ny fomba PVT (b) bracket voa mipetaka ambony TaC (anisan'izany ny voan'ny SiC) (c) peratra mpitari-dalana graphite misy TAC
-
Avo fahadiovana silisiôma carbide kristaly sambo mitondra ...
-
Silicon Carbide (SiC) Wafer Susceptors ho an'ny MOCVD
-
SiC Coating Silicon Epitaxial Deposition Ao Bar...
-
SiC Coated Barrel Reactor ho an'ny Epitaxy Phase Liquid
-
SiC Coating Graphite Wafer Susceptor
-
Semiconductor tapany faharoa ho an'ny Epitaxial