Silicon carbide (SiC)dia fitaovana semiconductor midadasika midadasika lehibe ampiasaina amin'ny fitaovana elektronika avo lenta sy avo lenta. Ireto manaraka ireto ny masontsivana fototra sasany amin'nysilisiôma carbide waferssy ny fanazavany amin'ny antsipiriany:
Lattice Parameter:
Ataovy azo antoka fa mifanaraka amin'ny sosona epitaxial hambolena ny lattice tsy tapaka amin'ny substrate mba hampihenana ny lesoka sy ny adin-tsaina.
Ohatra, ny 4H-SiC sy ny 6H-SiC dia manana tsy miovaova lattice, izay misy fiantraikany amin'ny kalitaon'ny epitaxial sy ny fahombiazan'ny fitaovana.
Filaharan'ny stacking:
Ny SiC dia ahitana atôma silisiôma sy atôma karbônina amin'ny tahan'ny 1: 1 amin'ny ambaratonga macro, fa ny filaharan'ireo sosona atomika dia hafa, izay hamorona rafitra kristaly samihafa.
Ny endrika kristaly mahazatra dia misy ny 3C-SiC (rafitra toratelo), 4H-SiC (firafitry ny hexagonal), ary ny 6H-SiC (firafitra hexagonal), ary ny filaharan'ny stacking mifanaraka amin'izany dia: ABC, ABCB, ABCACB, sns. Ny endrika kristaly tsirairay dia manana elektronika samihafa. toetra sy toetra ara-batana, noho izany dia zava-dehibe ny fisafidianana ny endrika kristaly tsara ho an'ny fampiharana manokana.
Mohs Hardness: Mamaritra ny hamafin'ny substrate, izay misy fiantraikany amin'ny fanamorana ny fanodinana sy ny fanoherana.
Ny karbida silikônika dia manana hamafin'ny Mohs avo dia avo, matetika eo anelanelan'ny 9-9.5, ka mahatonga azy io ho fitaovana tena sarotra ho an'ny fampiharana izay mitaky fanoherana avo lenta.
Density: Misy fiantraikany amin'ny tanjaky ny mekanika sy ny toetra mahamay ny substrate.
Ny hakitroky avo amin'ny ankapobeny dia midika hoe tanjaky ny mekanika tsara kokoa sy ny conductivity mafana.
Coefficient fanitarana mafana: Enti-milaza ny fitomboan'ny halavany na ny haavon'ny substrate raha oharina amin'ny halavany na ny volume tany am-boalohany rehefa miakatra iray degre Celsius ny mari-pana.
Ny fifandanjana eo amin'ny substrate sy ny sosona epitaxial eo ambanin'ny fiovan'ny mari-pana dia misy fiantraikany amin'ny fahamarinan'ny hafanana amin'ny fitaovana.
Refractive Index: Ho an'ny fampiharana optika, ny mari-pamantarana refractive dia masontsivana lehibe amin'ny famolavolana fitaovana optoelectronic.
Misy fiantraikany amin'ny hafainganam-pandeha sy ny lalan'ny onjam-pahazavana ao amin'ilay fitaovana ny tsy fitovian'ny mari-pamantarana refractive.
Dielectric Constant: Misy fiantraikany amin'ny toetra mampiavaka ny fitaovana.
Ny tsy tapaka dielectric ambany dia manampy amin'ny fampihenana ny capacitance parasy ary manatsara ny fahombiazan'ny fitaovana.
Conductivity mafana:
Zava-dehibe ho an'ny fampiharana mahery vaika sy hafanana avo, misy fiantraikany amin'ny fahombiazan'ny fampangatsiahana ny fitaovana.
Ny conductivity mafana mafana amin'ny silisiôma carbide dia mahatonga azy ho mety tsara amin'ny fitaovana elektronika mahery vaika satria afaka mitondra hafanana lavitra ny fitaovana.
Band-gap:
Enti-milaza ny fahasamihafan'ny angovo eo amin'ny tampon'ny tarika valence sy ny faran'ny tarika conduction amin'ny fitaovana semiconductor.
Ny fitaovana midadasika dia mitaky angovo avo kokoa hanentanana ny fifindrana elektrônika, izay mahatonga ny karbida silisiôma hanao tsara amin'ny tontolo mafana sy avo taratra.
Sahan-jiro simba:
Ny voltase fetra azon'ny fitaovana semiconductor iray.
Ny karbida silikônina dia manana saha elektrika avo lenta avo lenta, izay mamela azy hanohitra ny voltase avo lenta nefa tsy rava.
Haingam-pandeha tondra-drano:
Ny hafainganam-pandeha ambony indrindra azon'ny mpitatitra tratra aorian'ny saha elektrika sasany dia ampiharina amin'ny fitaovana semiconductor.
Rehefa mitombo amin'ny ambaratonga iray ny tanjaky ny sehatry ny herinaratra dia tsy hitombo intsony ny hafainganam-pandehan'ny mpitatitra miaraka amin'ny fanatsarana bebe kokoa ny saha elektrika. Ny velocity amin'izao fotoana izao dia antsoina hoe ny saturation drift velocity. Ny SiC dia manana hafainganam-pandehan'ny saturation avo lenta, izay mahasoa amin'ny fanatanterahana ireo fitaovana elektronika haingam-pandeha.
Ireo mari-pamantarana ireo dia miara-mamariparitra ny fampisehoana sy ny fampiharana nySiC wafersamin'ny fampiharana isan-karazany, indrindra fa ireo ao amin'ny tontolo mahery vaika, matetika ary hafanana.
Fotoana fandefasana: Jul-30-2024