-
Omaly, namoaka fanambarana ny Birao momba ny Siansa sy ny Teknolojia fa nanajanona ny IPO ny Huazhuo Precision Technology!
Vao avy nanambara ny fanaterana ny voalohany 8-mirefy SIC tamin'ny laser annealing fitaovana any Shina, izay ihany koa ny teknolojia Tsinghua; Nahoana izy ireo no nanaisotra ny fitaovana? Teny vitsivitsy fotsiny: Voalohany, maro karazana ny vokatra! Raha vao jerena dia tsy haiko izay ataony. Amin’izao fotoana izao, H...Hamaky bebe kokoa -
CVD silisiôma carbide coating-2
CVD silisiôma carbide coating 1. Nahoana no misy silisiôma carbide coating Ny epitaxial sosona dia manokana kristaly manify sarimihetsika mitombo eo amin'ny fototry ny ovy amin'ny alalan'ny dingana epitaxial. Ny wafer substrate sy ny sarimihetsika manify epitaxial dia antsoina hoe wafers epitaxial. Anisan’izany ny...Hamaky bebe kokoa -
Ny dingana fanomanana ny SIC coating
Amin'izao fotoana izao, ny fomba fanomanana ny SiC coating dia ahitana indrindra ny fomba gel-sol, ny fomba fametahana, ny fomba fametahana borosy, ny fomba famafazana plasma, ny fomba fanehoan-kevitry ny etona simika (CVR) ary ny fomba fanodinana etona simika (CVD). Fomba fametahana Ity fomba ity dia karazana solid-phase hafanana avo ...Hamaky bebe kokoa -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Inona no atao hoe CVD SiC Chemical deposition etona (CVD) dia dingana fametrahana banga ampiasaina hamokarana akora matanjaka madio. Ity dingana ity dia matetika ampiasaina amin'ny sehatry ny famokarana semiconductor mba hamoronana sarimihetsika manify eo amin'ny tampon'ny wafers. Ao anatin'ny dingan'ny fanomanana SiC amin'ny CVD, ny substrate dia exp...Hamaky bebe kokoa -
Famakafakana ny firafitry ny dislocation ao amin'ny kristaly SiC amin'ny alàlan'ny simulation tracing taratra ampian'ny sary topolojika X-ray
Fikarohana fototra Fampiasana ny maha-zava-dehibe ny silisiôna carbide (SiC): Amin'ny maha fitaovana semiconductor bandgap midadasika, ny carbide silisiôma dia nahasarika ny sain'ny maro noho ny fananana elektrika tena tsara (toy ny bandgap lehibe kokoa, ny hafainganam-pandehan'ny saturation elektronika ambony ary ny conductivity mafana). Ireo prop...Hamaky bebe kokoa -
Dingana fanomanana kristaly voa amin'ny fitomboan'ny kristaly tokana SiC 3
Fanamarinana ny fitomboanaNy kristaly voa silisiôma (SiC) dia nomanina taorian'ny dingana voatondro ary nohamarinina tamin'ny fitomboan'ny kristaly SiC. Ny sehatra fitomboana ampiasaina dia lafaoro fandoroana SiC induction tena novolavolaina miaraka amin'ny hafanan'ny fitomboana 2200 ℃, tsindry fitomboana 200 Pa, ary fitomboana ...Hamaky bebe kokoa -
Fizotry ny fanomanana kristaly voa amin'ny fitomboan'ny kristaly tokana SiC (fizarana 2)
2. Fizotry ny fanandramana 2.1 Fanasitranana ny Sarimihetsika Adhesive Hita fa ny famoronana mivantana sarimihetsika karbôna na fatorana amin'ny taratasy grafita amin'ny sic wafers misy adhesive dia niteraka olana maro: 1. Ao anatin'ny toe-javatra banga, ny sarimihetsika adhesive amin'ny wafers SiC dia namolavola endrika mizana noho ny hanao sonia...Hamaky bebe kokoa -
Fizotry ny fanomanana kristaly voa amin'ny fitomboan'ny kristaly tokana SiC
Ny akora silicone carbide (SiC) dia manana tombony amin'ny elanelana midadasika, ny conductivity mafana avo lenta, ny tanjaky ny fahatapahan-jiro avo lenta, ary ny hafainganam-pandehan'ny elektronika avo lenta, ka mahatonga azy io ho tena mampanantena amin'ny sehatry ny famokarana semiconductor. Ny kristaly tokana SiC dia matetika novokarina tamin'ny ...Hamaky bebe kokoa -
Inona avy ireo fomba fanamboarana wafer?
Amin'ireo dingana rehetra tafiditra amin'ny famoronana puce, ny anjara farany amin'ny wafer dia ny hotapahina ho faty tsirairay ary fonosina ao anaty boaty kely voahidy miaraka amin'ny tsimatra vitsivitsy monja. Ny chip dia hotombanana mifototra amin'ny tokonam-baravarana, ny fanoherana, ny ankehitriny ary ny soatoavin'ny volt, saingy tsy misy mihevitra ...Hamaky bebe kokoa -
Ny fampidirana fototra momba ny fizotry ny fitomboan'ny epitaxial SiC
Ny sosona epitaxial dia sarimihetsika kristaly iray manokana nambolena tamin'ny wafer tamin'ny alàlan'ny fizotran'ny ep·itaxial, ary ny wafer substrate sy ny sarimihetsika epitaxial dia antsoina hoe epitaxial wafer. Amin'ny fampitomboana ny sosona epitaxial silisiôma carbide amin'ny substrate karbida silisiôma conductive, ny epitaxial homogeneous carbide silisiôma ...Hamaky bebe kokoa -
Hevi-dehibe amin'ny fanaraha-maso ny kalitaon'ny fizotran'ny fonosana semiconductor
Hevi-dehibe ho an'ny fanaraha-maso ny kalitao amin'ny fizotran'ny fonosana semiconductorAmin'izao fotoana izao, ny teknolojia fanodinana ho an'ny fonosana semiconductor dia nihatsara sy nanatsara. Na izany aza, amin'ny fomba fijery ankapobeny, ny dingana sy ny fomba famonosana semiconductor dia tsy mbola tonga amin'ny faran'izay tsara indrindra ...Hamaky bebe kokoa -
Fanamby amin'ny fizotran'ny fonosana Semiconductor
Ny teknika ankehitriny amin'ny fonosana semiconductor dia mihatsara tsikelikely, fa ny halehiben'ny fitaovana sy ny teknolojia mandeha ho azy amin'ny fonosana semiconductor dia mamaritra mivantana ny fanatanterahana ny vokatra andrasana. Ny fizotran'ny fonosana semiconductor efa misy dia mbola mijaly noho ny ...Hamaky bebe kokoa