-
Inona no atao hoe Tantalum Carbide?
Tantalum carbide (TaC) dia fitambarana mimari-droa misy tantalum sy karbôna miaraka amin'ny formula simika TaC x, izay matetika miovaova eo anelanelan'ny 0.4 sy 1 ny x. Izy ireo dia fitaovana seramika mafy, mora vaky, tsy misy fangarony miaraka amin'ny conductivity metaly. Vovoka volontsôkôlà volondavenona izy ireo ary isika...Hamaky bebe kokoa -
inona ny tantalum carbide
Tantalum carbide (TaC) dia fitaovana vita amin'ny seramika avo lenta avo lenta amin'ny fanoherana ny hafanana, ny hakitroky ny haavony, ny fahamendrehana avo lenta; fahadiovana avo, votoaty loto <5PPM; ary ny tsy fahatomombanan'ny simika amin'ny amoniaka sy ny hidrôzenina amin'ny hafanana avo, ary ny fahamarinan-toerana mafana tsara. Ilay antsoina hoe ultra-high...Hamaky bebe kokoa -
Inona no atao hoe epitaxy?
Ny ankamaroan'ny injeniera dia tsy mahazatra ny epitaxy, izay mitana anjara toerana lehibe amin'ny famokarana fitaovana semiconductor. Ny epitaxy dia azo ampiasaina amin'ny vokatra chip samihafa, ary ny vokatra samihafa dia manana karazana epitaxy isan-karazany, anisan'izany ny Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, sns. Inona no atao hoe epitaxy? Epitaxy dia...Hamaky bebe kokoa -
Inona avy ireo mari-pamantarana manan-danja amin'ny SiC?
Silicon carbide (SiC) dia fitaovana semiconductor midadasika midadasika be ampiasaina amin'ny fitaovana elektronika avo lenta sy avo lenta. Ireto manaraka ireto ny mari-pamantarana manan-danja amin'ny wafers silisiôma karbida sy ny fanazavana amin'ny antsipiriany: Parametera Lattice: Ataovy azo antoka fa ny ...Hamaky bebe kokoa -
Nahoana no tsy maintsy mihodina ny silisiôma kristaly tokana?
Ny Rolling dia manondro ny dingan'ny fanosehana ny savaivony ivelany amin'ny tsorakazo kristaly silisiôma tokana ho tehina kristaly tokana amin'ny savaivony ilaina amin'ny fampiasana kodiaran'ny diamondra, ary ny fanosehana ny sisin'ny sisiny iray na ny fipetrahan'ny tsorakazo kristaly tokana. Ny savaivony ivelany surfac...Hamaky bebe kokoa -
Fizotry ny famokarana vovoka SiC kalitao avo lenta
Silicon carbide (SiC) dia fitambarana tsy organika fantatra amin'ny toetrany miavaka. Ny SiC voajanahary, fantatra amin'ny anarana hoe moissanite, dia tsy fahita firy. Amin'ny fampiharana indostrialy, ny karbida silisiôma dia novokarina tamin'ny alàlan'ny fomba synthetic. Ao amin'ny Semicera Semiconductor, mampiasa teknolojia mandroso izahay ...Hamaky bebe kokoa -
Fanaraha-maso ny fitovian'ny resistivity radial mandritra ny fisintonana kristaly
Ny antony lehibe misy fiantraikany amin'ny fitovian'ny radial resistivity amin'ny kristaly tokana dia ny fisaka ny fifandraisana mivaingana-ranoka sy ny fiantraikany amin'ny fiaramanidina kely mandritra ny fitomboan'ny kristaly Ny fitaoman'ny fisaka ny fifandraisana amin'ny ranon-javatra mivaingana mandritra ny fitomboan'ny kristaly, raha mihetsiketsika ny levona. , ny...Hamaky bebe kokoa -
Nahoana no afaka manatsara ny kalitaon'ny kristaly tokana ny lafaoro kristaly tokana
Koa satria ny crucible dia ampiasaina ho fitoeran-javatra ary misy convection ao anatiny, satria mitombo ny haben'ny kristaly tokana, ny convection hafanana sy ny fitovian'ny mari-pana dia lasa sarotra ny mifehy. Amin'ny fanampiana ny sahan'andriamby mba hahatonga ny conductive miempo miasa amin'ny hery Lorentz, convection dia mety ho ...Hamaky bebe kokoa -
Ny fitomboana haingana ny kristaly tokana SiC mampiasa loharano betsaka CVD-SiC amin'ny fomba sublimation
Ny fitomboana haingana amin'ny kristaly tokana SiC amin'ny fampiasana loharano marobe CVD-SiC amin'ny alàlan'ny fomba sublimationAmin'ny alàlan'ny fampiasana bloc CVD-SiC recycled ho loharano SiC, ny kristaly SiC dia nitombo soa aman-tsara tamin'ny tahan'ny 1.46 mm / h tamin'ny alàlan'ny fomba PVT. Ny mikrôpipean'ny krystaly lehibe sy ny hakitroky ny dislocation dia manondro fa de...Hamaky bebe kokoa -
Votoaty nohatsaraina sy voadika amin'ny fitaovana fitomboan'ny epitaxial silikon karbida
Ny substrate silicone carbide (SiC) dia manana lesoka maro izay manakana ny fanodinana mivantana. Mba hamoronana wafers chip dia tsy maintsy ambolena sarimihetsika kristaly tokana manokana amin'ny substrate SiC amin'ny alàlan'ny dingana epitaxial. Ity sarimihetsika ity dia fantatra amin'ny anarana hoe layer epitaxial. Saika ny fitaovana SiC rehetra dia tonga amin'ny epitaxial ...Hamaky bebe kokoa -
Ny anjara asa manan-danja sy ny fampiharana ireo trangan'ny SiC-coated Graphite Susceptors amin'ny famokarana semiconductor
Semicera Semiconductor dia mikasa ny hampitombo ny famokarana singa fototra ho an'ny fitaovana famokarana semiconductor manerantany. Amin'ny 2027, mikendry ny hanangana orinasa vaovao 20,000 metatra toradroa miaraka amin'ny fampiasam-bola 70 tapitrisa USD. Iray amin'ireo singa fototra ananantsika, ny silicone carbide (SiC) wafer carr...Hamaky bebe kokoa -
Nahoana isika no mila manao epitaxy amin'ny substrate wafer silisiôma?
Ao amin'ny rojo indostrian'ny semiconductor, indrindra amin'ny rojo indostrian'ny semiconductor andiany fahatelo (wide bandgap semiconductor), dia misy substrate sy sosona epitaxial. Inona no dikan'ny sosona epitaxial? Inona no maha samy hafa ny substrate sy ny substrate? Ny substr...Hamaky bebe kokoa