-
Ny fahamarinan-toerana mafana amin'ny singa quartz amin'ny indostrian'ny semiconductor
Fampidirana Ao amin'ny indostrian'ny semiconductor, ny fahamarinan-toerana mafana dia zava-dehibe indrindra mba hiantohana ny fampandehanana azo antoka sy mahomby amin'ny singa manan-danja. Quartz, endrika kristaly amin'ny dioksida silisiôma (SiO2), dia nahazo fankasitrahana lehibe noho ny toetrany miavaka amin'ny fahatoniana mafana. T...Hamaky bebe kokoa -
Ny fanoherana ny harafesina amin'ny coating Tantalum Carbide amin'ny indostrian'ny semiconductor
Lohateny: Ny fanoherana ny harafesina amin'ny Coating Tantalum Carbide ao amin'ny Indostria Semiconductor Fampidirana Ao amin'ny indostrian'ny semiconductor, ny harafesina dia miteraka fanamby lehibe amin'ny faharetana sy ny fanatanterahana ireo singa manan-danja. Ny coating Tantalum carbide (TaC) dia nipoitra ho vahaolana mampanantena ...Hamaky bebe kokoa -
Ahoana no handrefesana ny fanoherana ny takelaka manify?
Ny sarimihetsika manify ampiasaina amin'ny famokarana semiconductor dia samy manana fanoherana, ary misy fiantraikany mivantana amin'ny fahombiazan'ny fitaovana ny fanoherana ny sarimihetsika. Matetika isika dia tsy mandrefy ny fanoherana tanteraka amin'ny sarimihetsika, fa mampiasa ny fanoherana amin'ny taratasy mba hamaritana azy. Inona no atao hoe fanoherana ny taratasy sy ny fanoherana ny volume...Hamaky bebe kokoa -
Afaka manatsara ny fiainan'ny fiasan'ny singa ve ny fampiharana ny coating karbida silisiôna CVD?
CVD silisiôma carbide coating dia teknolojia izay mamorona sarimihetsika manify eo amin'ny ambonin'ny singa, izay mety hahatonga ny singa manana fanoherana tsara kokoa, harafesiny fanoherana, hafanana hafanana fanoherana sy ny fananana hafa. Ireo fananana tena tsara ireo dia mahatonga ny coating karbida silisiôna CVD be ...Hamaky bebe kokoa -
Moa ve ny coating karbida silisiôna CVD dia manana toetra manalefaka tsara?
Eny, ny coating karbida silisiôna CVD dia manana fananana fanalefahana tsara. Ny damping dia manondro ny fahafahan'ny zavatra iray manary angovo sy mampihena ny amplitude amin'ny vibration rehefa iharan'ny vibration na fiatraikany. Amin'ny fampiharana maro, ny fananana damping dia tena manafatra ...Hamaky bebe kokoa -
Silicon carbide semiconductor: hoavy mahasoa sy mahomby
Eo amin'ny sehatry ny fitaovana semiconductor, silicon carbide (SiC) dia nipoitra ho kandidà mampanantena ho an'ny taranaka manaraka amin'ny semiconductor mahomby sy mahasoa ny tontolo iainana. Miaraka amin'ny toetrany tsy manam-paharoa sy ny mety ho azy, ny semiconductor carbide silisiôma dia manokatra lalana ho an'ny maharitra kokoa ...Hamaky bebe kokoa -
Ny fahatsinjovana ny fampiharana ny sambo wafer silisiôma carbide amin'ny saha semiconductor
Amin'ny sehatry ny semiconductor, ny fisafidianana fitaovana dia tena ilaina amin'ny fahombiazan'ny fitaovana sy ny fivoaran'ny dingana. Tao anatin'ny taona vitsivitsy izay, ny wafers silisiôma carbide, ho toy ny fitaovana vao misondrotra, dia nahasarika ny sain'ny besinimaro ary naneho ny mety ho fampiharana amin'ny sehatry ny semiconductor. Silika...Hamaky bebe kokoa -
Ny fahatsinjovana ny fampiharana ny seramika silisiôma carbide amin'ny sehatry ny angovo azo avy amin'ny masoandro
Tao anatin'ny taona vitsivitsy izay, rehefa nitombo ny fangatahana angovo azo havaozina eran-tany, nanjary zava-dehibe ny angovo azo avy amin'ny masoandro photovoltaic ho safidy angovo madio sy maharitra. Amin'ny fampandrosoana ny teknolojia photovoltaic, ny siansa fitaovana dia manana anjara toerana lehibe. Anisan'izany ny seramika silisiôma karbida, ...Hamaky bebe kokoa -
Fomba fanomanana ny ampahany graphite mifono TaC mahazatra
PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) fomba: Amin'ny 900-2300 ℃, mampiasa TaCl5 sy CnHm ho tantalum sy karbônina loharano, H₂ ho fampihenana ny atmosfera, Ar₂as mitondra entona, fanehoan-kevitra deposition sarimihetsika. Ny coating voaomana dia compact, fanamiana ary fahadiovana avo. Na izany aza, misy ny olana sasany ...Hamaky bebe kokoa -
Fampiharana ny TaC mifono ampahany grafit
FIZARANA / 1 Ny koveta, mpihazona masomboly ary ny peratra mpitari-dalana ao amin'ny lafaoro kristaly tokana SiC sy AIN dia nambolena tamin'ny fomba PVT Araka ny aseho amin'ny sary 2 [1], rehefa ampiasaina ny fomba fitaterana etona ara-batana (PVT) hanomanana ny SiC, ny kristaly voa dia ao anaty. ny faritra somary ambany hafanana, ny SiC r...Hamaky bebe kokoa -
Ny rafitra sy ny teknolojia fitomboan'ny silisiôma carbide (Ⅱ)
Fahefatra, fomba famindrana etona ara-batana Ny fomba fitaterana etona ara-batana (PVT) dia niainga avy amin'ny teknôlôjia fanaparitahana ny etona noforonin'i Lely tamin'ny taona 1955. Ny vovoka SiC dia apetraka ao anaty fantsona graphite ary afanaina amin'ny hafanana avo mba hamongorana sy hanamafisana ny SiC pow...Hamaky bebe kokoa -
Ny rafitra sy ny teknolojia fitomboan'ny silisiôma carbide (Ⅰ)
Voalohany, ny rafitra sy ny toetran'ny kristaly SiC. Ny SiC dia fitambarana mimari-droa noforonin'ny singa Si sy singa C amin'ny ratio 1: 1, izany hoe 50% silisiôma (Si) ary 50% karbona (C), ary ny singa fototra fototra dia SI-C tetrahedron. Diagrama skéma amin'ny tetrahedro karbida silisiôma...Hamaky bebe kokoa