Ny tapany faharoa ho an'ny baffles ambany amin'ny fizotran'ny epitaxial

Fizarana tapany faharoa ho an'ny baffles ambany amin'ny fizotran'ny epitaxial Sary nasongadina

Famaritana fohy:

SiC mifono grafit faritra ho an'ny SiC epitaxial fitaovana.

Fampidirana sy fampiasana vokatra: fantsona quartz mifandray, afaka mandalo entona handroaka ny fihodinan'ny lovia, fanaraha-maso ny mari-pana

Ny toerana misy ny fitaovana amin'ny vokatra: ao amin'ny efitrano fanehoan-kevitra, tsy mifandray mivantana amin'ny wafer

Ny vokatra lehibe midina: fitaovana herinaratra

Tsenan'ny terminal lehibe: fiara mitondra angovo vaovao

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

SiC CoatedFizarana Halfmoon Graphitedia singa fototra ampiasaina amin'ny fizotran'ny famokarana semiconductor, indrindra ho an'ny fitaovana epitaxial SiC. Mampiasa ny teknolojia patentinay izahay mba hahatonga ny tapany amin'ny antsasaky ny volana amin'ny fahadiovana avo dia avo, ny fitovian'ny coating tsara ary ny fiainana serivisy tsara indrindra, ary koa ny fanoherana simika avo lenta sy ny toetran'ny hafanana mafana.