Silicon Carbide Coated Barrel Susceptor ho an'ny Wafer Epitaxial

Famaritana fohy:

Semicera dia manolotra karazana susceptors sy singa graphite feno natao ho an'ny reactors epitaxy isan-karazany.

Amin'ny alàlan'ny fiaraha-miombon'antoka stratejika miaraka amin'ireo OEM mitarika amin'ny indostria, ny fahaiza-manaon'ny fitaovana midadasika, ary ny fahaiza-mamokatra mandroso, Semicera dia manolotra endrika mifanaraka amin'ny fepetra takian'ny fampiharanao. Ny fanoloran-tenantsika amin'ny fahatsarana dia manome antoka fa hahazo vahaolana tsara indrindra ho an'ny filanao reactor epitaxy ianao.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Ny orinasanay dia manomeSiC coatingserivisy fanodinana eny ambonin'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa amin'ny alàlan'ny fomba CVD, mba hahafahan'ny entona manokana misy karbônina sy silisiôna mihetsika amin'ny hafanana avo mba hahazoana molekiola Sic madio indrindra, izay azo apetraka eo ambonin'ny akora mifono mba hamoronana asosona fiarovana SiCho an'ny karazana barika epitaxy hy pnotic.

Endri-javatra lehibe:

1 .High fahadiovana SiC mifono grafit

2. Superior hafanana fanoherana & mafana fanamiana

3. TsaraSiC mifono kristalyho an'ny tany malama

4. Faharetana avo amin'ny fanadiovana simika

SiC Coated Barrel Susceptor ho an'ny Wafer Epitaxial

Main Specifications nyCVD-SIC coating

SiC-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
hakitroky	g/cm³	3.21
hamafin'ny	Vickers hamafin'ny	2500
Haben'ny voamaina	μm	2~10
Fahadiovana simika	%	99.99995
Hafanana fahaiza-manao	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation Temperature	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4-point)	415
Ny Modulus Young	Gpa (fiondrika 4pt, 1300 ℃)	430
Fanitarana Thermal (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity mafana	(W/mK)	300