SemiceraSilicon Carbide Ceramic coatingdia coating fiarovana avo lenta vita amin'ny akora silicone carbide (SiC) tena mafy sy mahatohitra. Ny coating dia matetika napetraka eo amin'ny tampon'ny substrate amin'ny alàlan'ny dingana CVD na PVDsinga silisiôma carbide, manome fiarovana tsara amin'ny harafesina simika sy fahamarinan-toerana avo lenta. Noho izany, ny Silicon Carbide Ceramic Coating dia ampiasaina betsaka amin'ny singa fototra amin'ny fitaovana famokarana semiconductor.
Amin'ny famokarana semiconductor,SiC coatingdia mahatohitra hafanana faran'izay avo hatramin'ny 1600 ° C, ka ny Silicon Carbide Ceramic Coating dia matetika ampiasaina ho sosona fiarovana ho an'ny fitaovana na fitaovana hisorohana ny fahasimbana amin'ny hafanana ambony na ny tontolo manimba.
Mandritra izany fotoana izany,silisiôma carbide seramika coatingdia afaka manohitra ny erosiation ny asidra, alkalis, oxides sy reagents simika hafa, ary manana fanoherana avo harafesina amin'ny akora simika isan-karazany. Noho izany, ity vokatra ity dia mety amin'ny tontolo manimba isan-karazany amin'ny indostrian'ny semiconductor.
Ankoatr'izay, raha oharina amin'ny fitaovana seramika hafa, ny SiC dia manana conductivity mafana kokoa ary afaka mitondra hafanana tsara. Ity endri-javatra ity dia mamaritra fa amin'ny fizotran'ny semiconductor izay mitaky fanaraha-maso mari-pana tsara, ny conductivity mafana avo lentaSilicon Carbide Ceramic coatingmanampy amin'ny fanaparitahana ny hafanana, hisorohana ny hafanana be loatra eo an-toerana, ary hahazoana antoka fa miasa amin'ny hafanana tsara indrindra ilay fitaovana.
| Toetra ara-batana fototra amin'ny coating CVD sic | |
| NY FANANANA | Sanda mahazatra |
| Crystal Structure | FCC β-phase polycrystalline, indrindra indrindra (111). |
| hakitroky | 3,21 g/cm³ |
| hamafin'ny | 2500 Vickers hamafin'ny (500g entana) |
| Grain SiZe | 2~10μm |
| Fahadiovana simika | 99.99995% |
| Hafanana fahaiza-manao | 640 kg-1·K-1 |
| Sublimation Temperature | 2700 ℃ |
| Hery flexural | 415 MPa RT 4 teboka |
| Ny Modulus Young | 430 Gpa 4pt fiondrika, 1300 ℃ |
| Conductivity mafana | 300W·m-1·K-1 |
| Fanitarana Thermal (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
