Fampidirana ny CVD TaC Coating:
CVD TaC Coating dia teknôlôjia izay mampiasa ny fandoroana etona simika hametrahana ny tantalum carbide (TaC) coating eo ambonin'ny substrate. Tantalum carbide dia fitaovana seramika avo lenta miaraka amin'ny toetra mekanika sy simika tena tsara. Ny fizotry ny CVD dia miteraka sarimihetsika TaC fanamiana eo ambonin'ny substrate amin'ny alàlan'ny fanehoan-kevitra entona.
Ny endri-javatra fototra:
Ny hamafin'ny tena sy ny fanoherana ny akanjo: Tantalum carbide dia tena mafy orina, ary ny CVD TaC coating dia afaka manatsara ny fanoherana ny substrate. Izany no mahatonga ny coating mety tsara ho an'ny fampiharana amin'ny tontolo mitafy avo, toy ny fitaovana fanapahana sy lasitra.
Fahamarinan'ny hafanana avo: Ny coatings TaC dia miaro ny lafaoro mitsikera sy ny singa reactor amin'ny mari-pana hatramin'ny 2200 ° C, mampiseho ny fahamarinan-toerana tsara. Izy io dia mitazona ny fitoniana simika sy mekanika ao anatin'ny toe-piainana faran'izay mafana, ka mahatonga azy ho mety amin'ny fanodinana hafanana sy fampiharana amin'ny tontolo mafana.
Filaminana simika tena tsara: Tantalum carbide dia manana fanoherana mahery vaika amin'ny ankamaroan'ny asidra sy alkali, ary ny CVD TaC Coating dia afaka misoroka tsara ny fahasimban'ny substrate amin'ny tontolo manimba.
Avo levona: Ny karbida Tantalum dia manana teboka levona avo (eo ho eo amin'ny 3880°C), ahafahan'ny CVD TaC Coating ampiasaina amin'ny toe-javatra faran'izay hafanana tsy misy miempo na manimba.
Conductivity mafana tsara: Ny coating TaC dia manana conductivity mafana avo lenta, izay manampy amin'ny fanalefahana ny hafanana amin'ny dingana amin'ny hafanana ambony ary hisorohana ny hafanana be loatra eo an-toerana.
Fampiharana mety:
• Gallium Nitride (GaN) sy Silicon Carbide epitaxial CVD reactor singa ao anatin'izany ny wafer carriers, zanabolana lovia, douche, valin-drihana, ary susceptors
• Silicon carbide, gallium nitride ary aluminium nitride (AlN) singa mitombo kristaly ao anatin'izany ny crucibles, ny voa, ny peratra fitarihana ary ny sivana
• Ny singa indostrialy ao anatin'izany ny singa fanafanana fanoherana, ny tsindrona tsindrona, ny peratra saron-tava ary ny jig brazing
Endri-javatra fampiharana:
• Miorina amin'ny hafanana mihoatra ny 2000 ° C, mamela miasa amin'ny hafanana tafahoatra
• Mahatohitra ny hydrogène (Hz), amoniaka (NH3), monosilane (SiH4) ary silisiôma (Si), manome fiarovana amin'ny tontolo simika mahery vaika
• Ny fanoherana ny fahatafintohinana mafana dia mahatonga ny tsingerina miasa haingana kokoa
• Ny graphite dia manana adhesion matanjaka, miantoka ny fiainana maharitra ary tsy misy delamination coating.
• Fahadiovana avo lenta indrindra mba hanafoanana ireo loto na loto tsy ilaina
• Fandrakofana coating mifanaraka amin'ny fandeferana henjana
Famaritana ara-teknika:
Fanomanana ny coating tantalum carbide matevina amin'ny CVD：
TAC coating amin'ny crystallinity avo sy ny fitoviana tsara:
CVD TAC COATING Parameter ara-teknika_Semicera:
| Ny toetra ara-batana ny TaC coating | |
| hakitroky | 14.3 (g/cm³) |
| Fifantohana betsaka | 8 x 1015/cm |
| Emissivity manokana | 0.3 |
| Coefficient fanitarana mafana | 6.3 10-6/K |
| Hamafin'ny (HK) | 2000 HK |
| Bulk Resistivity | 4,5 ohm-sm |
| fanoherana | 1x10-5ohm*cm |
| Ny fahamarinan-toerana mafana | <2500 ℃ |
| mivezivezy | 237 sm2/Vs |
| Miova ny haben'ny grafita | -10~-20um |
| Ny hatevin'ny coating | ≥20um sanda mahazatra (35um + 10um) |
Ireo ambony dia soatoavina mahazatra.
