1. Momba nySilicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafers
Silicon Carbide (SiC) epitaxial wafers dia miforona amin'ny fametrahana sosona kristaly tokana amin'ny wafer iray amin'ny fampiasana wafer kristaly tokana karbida silisiôma ho substrate, matetika amin'ny fametrahana etona simika (CVD). Anisan'izany, ny silisiôma carbide epitaxial dia voaomana amin'ny alàlan'ny fampitomboana ny sosona epitaxial silisiôma karbida amin'ny substrate karbida silisiôma conductive, ary namboarina ho fitaovana avo lenta.
2.Silicon Carbide Epitaxial Waferfepetra arahana
Afaka manome 4, 6, 8 santimetatra N-karazana 4H-SiC epitaxial wafers. Ny wafer epitaxial dia manana bandwidth lehibe, haingam-pandeha elektrôna saturation avo lenta, entona elektronika roa-dimensional haingam-pandeha avo lenta, ary tanjaky ny fahapotehana avo lenta. Ireo toetra ireo dia mahatonga ny fitaovana hanohitra ny mari-pana ambony, ny fanoherana avo lenta, ny hafainganam-pandeha haingana, ny fanoherana ambany, ny habe kely ary ny lanjany maivana.
3. SiC Epitaxial Applications
SiC epitaxial waferdia ampiasaina indrindra amin'ny Schottky diode (SBD), metaly oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) junction field effect transistor (JFET), bipolar junction transistor (BJT), thyristor (SCR), insulated gate bipolar transistor (IGBT), izay ampiasaina amin'ny faritra misy voly ambany, antonony ary avo lenta. Amin'izao fotoana izao,SiC epitaxial wafersho an'ny rindranasa avo lenta dia eo amin'ny sehatry ny fikarohana sy fampandrosoana maneran-tany.
