Mombamomba ny vokatra
Ny orinasanay dia manome serivisy fanodinana SiC amin'ny alàlan'ny fomba CVD amin'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa, ka ny entona manokana misy karbônina sy silisiôna dia mihetsika amin'ny hafanana avo mba hahazoana molekiola SiC madio, molekiola napetraka eo ambonin'ny akora voarakotra, mamorona sosona fiarovana SIC.
Endri-javatra lehibe:
1. Ny fanoherana ny oxidation amin'ny hafanana avo:
ny fanoherana ny oxidation dia mbola tena tsara rehefa mahatratra 1600 C ny mari-pana.
2. Avo fahadiovana: vita amin'ny etona simika deposition ambanin'ny mari-pana ambony chlorination toe-javatra.
3. Erosion fanoherana: avo hamafin'ny, compact surface, poti tsara.
4. Ny fanoherana ny harafesina: asidra, alkali, sira ary reagents organika.
Famaritana lehibe momba ny Coating CVD-SIC
| SiC-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| hakitroky | g/cm³ | 3.21 |
| hamafin'ny | Vickers hamafin'ny | 2500 |
| Haben'ny voamaina | μm | 2~10 |
| Fahadiovana simika | % | 99.99995 |
| Hafanana fahaiza-manao | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation Temperature | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Ny Modulus Young | Gpa (fiondrika 4pt, 1300 ℃) | 430 |
| Fanitarana Thermal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivity mafana | (W/mK) | 300 |
-
Custom silisiôma carbide semiconductor wafer sambo ...
-
SiC coating carriers ho an'ny etching semiconductor
-
Semiconductor Silicon miorina GaN epitaxy
-
Silicone Epitaxial Deposition amin'ny Barrel Susceptor
-
SiC mpitatitra ho an'ny RTP/RTA fanafanana haingana trea...
-
Firafitry ny barika ho an'ny susceptor barika