Ny CVD SiC Etching Ring avy amin'ny Semicera, vahaolana voalohany natao ho an'ny dingana famokarana semiconductor mandroso. Ny peratra etching dia novolavolaina manam-pahaizana mba hanatsarana ny fahombiazan'ny lohan'ny douche CVD SiC, miantoka ny vokatra tsara indrindra mandritra ny fizotran'ny diffusion. Miaraka amin'ny fananganana matanjaka sy ny injeniera mazava tsara, ireo peratra ireo dia manome ny fahamendrehana sy ny fahombiazana ilaina amin'ny fampiharana etch maina avo lenta.
Ao amin'ny Semicera, takatsika ny anjara asa lehibe ataon'ny karbida silisiôma amin'ny teknolojia semiconductor. Ny peratra etching CVD SiC dia natao manokana handraisana ireo dingana isan-karazany, ao anatin'izany ny MOCVD sy ny teknika etching hafa. Ny firafitry ny SiC matanjaka dia miantoka ny fahamarinan-toerana mafana sy ny fanoherana simika, ka mahatonga ny peratra etching ho safidy tiana ho an'ny tontolo sarotra indrindra.
Ny fanoloran-tenantsika amin'ny fanavaozana sy ny kalitao dia miantoka fa ny peratra etching CVD SiC rehetra dia mahafeno ny fenitry ny indostria avo indrindra. Safidio ny Semicera ho an'ny vahaolana etching anao ary zahao ny fampisehoana tsy manam-paharoa sy ny faharetana mifanaraka amin'ny filanao manokana. Miaraka amin'ny fahaiza-manaonay amin'ny fandroana SiC sy ny teknolojia etching, eto izahay hanohana ny fahombiazanao amin'ny sehatry ny semiconductor.
Ao amin'ny sehatry ny semiconductor, ny fahamarinan'ny singa tsirairay dia tena zava-dehibe amin'ny dingana manontolo. Na izany aza, ao anatin'ny tontolo mafana, ny graphite dia mora oxidized sy very, ary ny coating SiC dia afaka manome fiarovana azo antoka ho an'ny ampahany graphite. Ao amin'nySemiceraekipa, manana ny graphite fanadiovana fitaovana fanodinana, izay afaka mifehy ny fahadiovan'ny graphite ambanin'ny 5ppm. Ny fahadiovan'ny silicone carbide coating dia ambany ihany koa ny 5ppm.
✓ Ny kalitao avo indrindra amin'ny tsenan'i Shina
✓Fanompoana tsara hatrany ho anao, 7*24 ora
✓ Daty fohy fanaterana
✓ MOQ kely raisina ary ekena
✓ Serivisy manokana
