Description
Ny orinasanay dia manomeSiC coatingserivisy fanodinana amin'ny fomba CVD amin'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa, ka ny entona manokana misy karbaona sy silisiôma dia mihetsika amin'ny hafanana avo mba hahazoana molekiola SiC madio indrindra, molekiola napetraka eo amin'ny tampon'ny fitaovana mifono, mamoronaSIC fiarovana sosona.
Endri-javatra lehibe
1. Ny fanoherana ny oxidation amin'ny hafanana avo:
ny fanoherana ny oxidation dia mbola tena tsara rehefa mahatratra 1600 C ny mari-pana.
2. Avo fahadiovana: vita amin'ny etona simika deposition ambanin'ny mari-pana ambony chlorination fepetra.
3. Erosion fanoherana: avo hamafin'ny, compact surface, poti tsara.
4. Ny fanoherana ny harafesina: asidra, alkali, sira ary reagents organika.
Famaritana lehibe momba ny Coating CVD-SIC
| SiC-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| hakitroky | g/cm³ | 3.21 |
| hamafin'ny | Vickers hamafin'ny | 2500 |
| Haben'ny voamaina | μm | 2~10 |
| Fahadiovana simika | % | 99.99995 |
| Hafanana fahaiza-manao | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation Temperature | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Ny Modulus Young | Gpa (fiondrika 4pt, 1300 ℃) | 430 |
| Fanitarana Thermal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivity mafana | (W/mK) | 300 |
-
Silicon Carbide-Mifono Barrel Susceptor
-
SIC Coated Graphite Heater ho an'ny MOCVD ...
-
Porous tantalum carbide, fitaovana an-tsaha mafana ho an'ny ...
-
36 sombintsombiny 4 inch graphite base MOCVD fitaovana ...
-
Graphite Susceptor amin'ny Silicon Carbide Coating...
-
Silicon Carbide Mifono Epitaxial Reactor Barrel