Toetoetra:
Ny fanoherana ny seramika amin'ny fananana semiconductor dia eo amin'ny 10-5 ~ 107ω.cm, ary ny fananana semiconductor amin'ny fitaovana seramika dia azo amin'ny doping na miteraka lesoka vokatry ny fivilian'ny stoichiometric.Ny seramika mampiasa ity fomba ity dia ahitana TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 ary SiC.Ny toetra samihafa amin'ny seramika semiconductor dia ny fiovan'ny conductivity elektrika miaraka amin'ny tontolo iainana, izay azo ampiasaina amin'ny fanaovana karazana fitaovana saro-pady seramika.
Toy ny hafanana saro-pady, entona saro-pady, hamandoana saro-pady, fanerena saro-pady, hazavana saro-pady sy ny sensor hafa.Ny fitaovana spinel semiconductor, toy ny Fe3O4, dia mifangaro amin'ny fitaovana spinel tsy conductor, toy ny MgAl2O4, amin'ny vahaolana matanjaka voafehy.
MgCr2O4, ary Zr2TiO4, dia azo ampiasaina ho thermistors, izay fitaovana fanoherana tsara izay miovaova amin'ny hafanana.Ny ZnO dia azo ovaina amin'ny fampidirana oxides toy ny Bi, Mn, Co ary Cr.
Ny ankamaroan'ireo oxides ireo dia tsy levona mafy ao amin'ny ZnO, fa ny deflection amin'ny sisin-tany mba hamorona sakana sosona, mba hahazoana ZnO varistor fitaovana seramika, ary dia karazana fitaovana amin'ny fampisehoana tsara indrindra amin'ny varistor seramika.
SiC doping (toy ny mainty karbaona olombelona, vovoka grafit) dia afaka manomana fitaovana semiconductor miaraka amin'ny fahamarinan-toerana avo lenta, ampiasaina ho singa fanafanana fanoherana isan-karazany, izany hoe, baoritra silisiôma amin'ny lafaoro elektrika avo lenta.Mifehy ny fanoherana sy ny fizaran'ny SiC mba hahatratrarana saika izay irina
Ny fepetra fiasana (hatramin'ny 1500 ° C), ny fampitomboana ny fanoherana azy ary ny fampihenana ny fizaràna hazo fijaliana amin'ny singa fanafanana dia hampitombo ny hafanana vokarina.Silicon karbaona tsorakazo eny amin'ny rivotra dia hitranga oxidation fanehoan-kevitra, ny fampiasana ny mari-pana amin'ny ankapobeny dia voafetra ho 1600 ° C eto ambany, ny mahazatra karazana silisiôma karbonina tsorakazo.
Ny mari-pana miasa azo antoka dia 1350°C.Ao amin'ny SiC, ny atôma Si dia nosoloina ny atoma N, satria ny N dia manana elektrôna bebe kokoa, misy elektrôna be loatra, ary ny haavon'ny angovony dia manakaiky ny tarika conduction ambany ary mora ny manangana ny tarika conduction, noho izany ny fanjakana angovo. antsoina koa hoe ny ambaratongan'ny mpamatsy vola, io antsasany io
Ny conductors dia semiconductor-karazana N na semiconductor mandeha amin'ny elektronika.Raha ny ataoma Al dia ampiasaina amin'ny SiC hanoloana ny ataoma Si, noho ny tsy fisian'ny elektrôna, ny fanjakana angovo ara-materialy voaforona dia manakaiky ny tarika elektronika valence etsy ambony, mora ny manaiky elektronika, ary noho izany dia antsoina hoe acceptant.
Ny haavon'ny angovo lehibe, izay mamela toerana banga ao amin'ny tarika valence izay mety hitarika elektronika satria ny toerana banga dia miasa mitovy amin'ny mpitatitra fiampangana tsara, dia antsoina hoe semiconductor na lavaka semiconductor (H. Sarman, 1989).
Fotoana fandefasana: Sep-02-2023