Semiconductor SiC mifono monocrystalline silicon epitaxial disk

Ny Semiconductor SiC mifono kapila epitaxial monocrystalline silisiôma avy amin'ny semicera, vahaolana faran'izay tsara natao ho an'ny fizotry ny fitomboan'ny epitaxial. Semicera dia manam-pahaizana manokana amin'ny famokarana kapila avo lenta izay manome fampitandremana mafana sy faharetana tsara, tsara ho an'ny fampiharana amin'nySy EpitaxySYSiC Epitaxy. Ity kapila epitaxial ity, mipetaka amin'ny karbida silisiôna (SiC), dia manatsara ny fahombiazan'ny fizotran'ny famokarana semiconductor.

NYMOCVD Susceptorkapila epitaxial mifanentana dia miantoka ny fanatanterahana tsy tapaka amin'ny fanamboarana isan-karazany, ao anatin'izany ny rafitra mitaky PSS Etching Carrier,ICP EtchingCarrier, ary RTP Carrier. Ity kapila ity dia novolavolaina mba hamenoana ny fangatahana avo indrindra amin'ny famokarana Monocrystalline Silicon, ka mahatonga azy ho mety amin'ny fampiharana LED Epitaxial Susceptor sy ny fizotran'ny fitomboana semiconductor hafa. Ny endrika Barrel Susceptor sy Pancake Susceptor dia manome fahafaha-manao ho an'ny mpanamboatra, raha toa kosa ny fampiasana ny Photovoltaic Parts dia manitatra ny fampiharana azy amin'ny indostrian'ny masoandro.

Miaraka amin'ny fananganana matanjaka azy, ny GaN amin'ny SiC Epitaxy dia manatsara kokoa ny sandany ho an'ny rafitra epitaxial mandroso. Ity vahaolana ity dia natao hanomezana vokatra azo itokisana sy avo lenta, ka mahatonga azy ho singa tena ilaina amin'ny famokarana semiconductor maoderina sy photovoltaic.